専門領域

パワー半導体分野のエグゼクティブサーチ

SiC・GaNへの移行とAI主導の電動化を牽引する、次世代パワー半導体市場における経営幹部および高度専門人材の獲得を支援します。

SiC/GaN Engineerデバイス・エンジニアリング
Applications Engineer Power Semisモジュール&アプリケーション
Process Engineer Power Devicesプロセス&マニュファクチャリング
パワーデバイス部門責任者(Head of Power Devices)のエグゼクティブサーチパワーデバイス・リーダーシップ
市場インテリジェンス

市場インテリジェンス

この専門領域を動かしている採用シグナル、役割需要、専門的背景を実務的な視点でまとめています。

2026年以降の日本国内のパワー半導体市場は、生成AIの普及に伴う電力需要の急増と、電気自動車(EV)を中心としたグローバルな電動化の波を受け、かつてない構造的転換期を迎えています。世界のトップ企業10社のうち半数を日本企業が占めるこの領域において、従来のシリコン(Si)から炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったワイドバンドギャップ(WBG)半導体への移行が急速に進んでいます。経済産業省が主導する「半導体・デジタル産業戦略」の下、2030年までに国内の半導体生産額を15兆円超へと引き上げる目標が掲げられており、各社は300mmのSiラインや200mmのSiCラインの増設に向けて数千億円規模の設備投資を断行しています。

この技術的・地政学的な転換は、深刻な人材獲得競争を引き起こしています。パワー半導体の製造、特に歩留まりの向上や品質管理には、長年の経験に基づく暗黙知が不可欠ですが、業界全体でベテラン技術者の引退が進む「Peak 65」問題が顕在化しています。一方で、デジタルゲートドライブ技術の進化やAIを活用した設計最適化など、新たなスキルセットへの需要も急増しており、半導体分野全体で次世代リーダーの枯渇が経営課題となっています。さらに、パワーマネジメントとデジタル技術の融合が進む中、アナログ・ミックスドシグナルの知見を持つエンジニアや、高電圧対応の先端パッケージングを牽引できる専門人材の市場価値は高騰を続けています。

地理的な動向に目を向けると、人材の集積地は国内の主要なハブへと再編されつつあります。大型投資に沸く九州エリアでは、福岡や熊本を中心に産官学連携による人材育成コンソーシアムが稼働し、エコシステム全体の底上げが図られています。また、次世代ロジック半導体の量産を目指す拠点が構築されている北海道や、研究開発機能が集積する東京を中心とした関東圏、そして大手重電メーカーの製造・開発拠点が点在する大阪を含む関西圏など、各地域で独自のタレントプールが形成されています。

2030年に向けた事業戦略において、企業は単なる欠員補充ではなく、経済安全保障推進法に基づくサプライチェーンの強靱化や、酸化ガリウム(Ga2O3)などの次世代素材の研究開発を主導できるエグゼクティブの確保が求められます。また、複雑化するシステム要件に対応するため、検証(ベリフィケーション)プロセスの高度化を指揮できる人材も不可欠です。技術的優位性を維持し、グローバル市場でのシェアを拡大するためには、国内外の高度人材を惹きつける競争力のある報酬体系の構築と、戦略的なタレントマネジメントが競争の勝敗を分ける中核的な要素となります。

キャリアパス

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Power Semiconductor Device Engineer

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Process Engineer Power Devices

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Applications Engineer Power Semis

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Director of Product Engineering

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パワー半導体事業の成長を牽引するリーダーシップの構築

激化する人材獲得競争において、次世代技術の社会実装と事業拡大を実現する経営幹部および高度専門人材の採用戦略を支援します。KiTalentのエグゼクティブサーチを通じて、貴社の競争力強化に向けた最適な組織構築をご提案いたします。具体的な手法についてはエグゼクティブサーチの仕組みを、詳細なアプローチについてはサーチプロセスをご覧ください。

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